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晚游玩c)Cs2AgInCl6中Σ5(310)GB处Cli和InAg+Cli掺入对能带结构调控的示意图。此外，恨情和很多其他半导体类似，本工作研究者发现在被缺陷或缺陷复合物钝化后的晶界中会出现能带弯曲的现象，这有利于HDP薄膜中载流子的分离。

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暴雪报仇【图文简介】图1两类HDP的电子结构以及两种典型晶界的结构a)ABO3和A2B1+B3+XVII6钙钛矿的晶体结构。图2含晶界的两类HDP的能带结构a)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构，晚游玩其中带隙内的深能级缺陷态[a图中的S1,S2和S3态以及c图中的T1和T2态]以粗线突出显示，晚游玩而体相态由阴影区域突出显示(下同)。

恨情d)SrTiO3和Cs2AgInCl6中原Σ3GB的局部原子结构比较。

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文献链接：晚游玩https://doi.org/10.1002/anie.2020054062、晚游玩ACSNano：大规模合成具有多功能石墨烯石英纤维电极北京大学刘忠范院士，刘开辉研究员等人结合石墨烯优异的电学性能和石英纤维的机械柔韧性，设计并通过强制流动化学气相沉积（CVD）制备了混杂石墨烯石英纤维（GQF）。研究人员研究了在50倍的盐度梯度下，恨情双极膜的最大功率密度可达~6.2W/m2，比Nafion117高出13%。